Общая Минералогия :: КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ МИНЕРАЛОВ :: ПРИНЦИП ПЛОТНЕИШЕИ УПАКОВКИ АТОМОВ И ИОНОВ

ПРИНЦИП ПЛОТНЕИШЕИ УПАКОВКИ АТОМОВ И ИОНОВ

Для объяснения природы кристаллических структур веществ в кристаллографии используется принцип плотнейшей упаковки атомов и ионов в кристаллах, согласно которому принимается, что, во-первых, форма всех атомов и ионов сферическая и, во-вторых, весь объем кристалла или отдельных его структурных блоков заполнен плотно соприкасающимися атомами и ионами (рис. 5). На основе этого принципа удалось

просто и геометрически образно охарактеризовать многие особенности кристаллического строения минералов.

Рассмотрим для начала возможные способы плотнейшей укладки шаров равного диаметра. Положим друг на друга два слоя плотно соприкасающихся шаров, обозначив нижний слой буквой А, верхний—буквой В. Третий слой можно положить на слой В по-разному (рис. 6): в одном случае шары третьего слоя точно повторяют положение шаров в слое А, а в другом — шары третьего слоя займут неповторяемую позицию С, их затем можно перекрыть четвертым слоем шаров, который повторит положение слоя А. Упаковка первого типа характеризуется повторяемостью АВ АВ АВ ..., ее называют двухслойной

Рис. 5. Иллюстрация принципе плотнейшей упаковки атомов на мо дели структуры галенита.

Рис. 6. Двухслойная (а) и трехслойная (б) плотнейшие упаковки шаров.

(а по характеру симметрии — гексагональной) (рис.7). Для упаковок второго типа характерна повторяемость ABC ABC ABC

<< назад вперед >>

Общая минералогия

ПРИНЦИП ПЛОТНЕИШЕИ УПАКОВКИ АТОМОВ И ИОНОВ