Общая Минералогия :: СИММЕТРИЯ И ПРОСТЫЕ ФОРМЫ КРИСТАЛЛОВ :: МОДЕЛИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

Дефектами называются нарушения обычной для идеального кристалла однородности его строения. Сложные процессы изоморфизма и адсорбционные явления на поверхностях растущего кристалла приводят к дефектности его строения—точечной, линейной и объемной. Точечные дефекты вызываются в первую очередь изоморфным замещением. Атом (ион) изоморфной примеси в узле кристаллической решетки, появление меж-узельных атомов, отсутствие частиц

Рис. 15. Разные варианты перехода частицы на поверхность растущего кристалла.

Наиболее прочно положение частиц в позиции 3, наименее — в позициях 1, 5, 6.

Рис. 16. Некоторые типы точечных дефектов в кристаллах.

в некоторых узлах, остающихся вакантными (рис. 16), —все это нарушает регулярность строения кристалла и существенно влияет на его рост—каждый точечный дефект может оказаться более выгодным для присоединения здесь частицы следующего слоя на кристалле.

Линейные краевые дислокации могут возникнуть, например, при изменении химических условий роста кристаллов, когда содержание изоморфных примесей во внутренней зоне и внешней части кристалла различается. Из-за разного размера частиц расстояния между одними и теми же плоскими сетками различны во внутренней и внешней зонах кристалла, а часть плоских сеток превращается в полуплоскости (Б на рис. 17, а). Граница этой полуплоскости и есть краевая дислокация, она является местом облегченного присоединения частиц к растущему кристаллу.

<< назад вперед >>
Ultrashape, термолифтинг. Термолифтинг, ultrashape.

Общая минералогия